三星否定HBM芯片存在发烧/功耗高问题，已严格测试
- 尽管三星在存储半导体行业历来处于跳动地位，但其在HBM鸿沟处于下风。
三星电子鉴定否定联系其高带宽存储（HBM）产物未能达到英伟达质地规范的报谈。该论述列举了发烧和功耗过高级问题，并宣称三星的HBM产物尚未通过英伟达的严格测试。
三星电子在一份声明中批驳了这些说法，称“正在与环球各勾通伙伴告成进行HBM供应测试”。该公司强调，正在“与多家公司密切勾通，不休测试本领和性能”，以确保其产物的质地和可靠性。
HBM本领通过垂直堆叠多个DRAM芯片来显耀擢升数据处理速率，跟着东谈主工智能（AI）商场的快速增长变得越来越紧要。HBM需求激增，操盘三星电子和SK海力士堕入热烈的商场主导地位争夺战。
尽管三星在存储半导体行业历来处于跳动地位，但其在HBM鸿沟处于下风，这种情况促使该公司里面发生紧要策略出动。
为了嘱托这些竞争压力，三星最近更换了致密监管半导体业务的诞生照管决议（DS）部门的致密东谈主。
这次带领层变动突显了三星再行在HBM商场站稳脚跟的容或。本年4月，三星运行量产其第五代HBM产物8层HBM3E，并洽商在本年第二季度运行量产业界首款12层HBM3E产物。
三星电子重申了其对证地和可靠性的容或。该公司示意：“咱们正在死力擢升悉数产物的质地和可靠性。咱们正在严格测试HBM产物的质地和性能，以便为客户提供最好的照管决议。”
尽管有这些保证，一些商场分析师仍然对三星在短期内放松与其竞争敌手差距的才调合手怀疑魄力。